SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L8. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.66W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 20:25.