SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P4. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 75 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 235pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 20:25.