SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4431BDY-T1-E3. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 20:25.