Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3
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5 - 9 1.24€ 1.51€
10 - 24 1.17€ 1.43€
25 - 49 1.11€ 1.35€
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SI4800BDY-T1-E3. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 4800B. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0155 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Quantità per scatola: 1. Funzione: MOSFET di potenza a commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 15:25.

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C(in): 475pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 19m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 5 ns. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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