FDS6690A

FDS6690A. C(in): 1205pF. Costo): 290pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 9.8m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: controllo del livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 20:25.