AO4407A

AO4407A. C(in): 2060pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 7.4A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.7W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0085 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1.7V. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 4407A. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.