Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SI9435BDY

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SI9435BDY. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 5.3A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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FDS9435A
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: FDS9435A. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 528pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): 1. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: P-Channel PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V
FDS9435A
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: FDS9435A. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 528pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): 1. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: P-Channel PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V
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