Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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1SS133

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1SS133. Do: 2pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 130mA. IFSM: 400mA. RM (max): 0.5uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-34 ( SOD68 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-34. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. VRRM: 80V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Altro nome: IN4148. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 75V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
1N4148
Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Altro nome: IN4148. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 75V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
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