SI4559EY-E3

SI4559EY-E3. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4559EY. Tensione drain-source Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 36/12ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 15:25.