SI4840BDY

SI4840BDY. C(in): 2000pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0074 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 15:25.