SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 840pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm a 4,7 A. Marcatura del produttore: SI4946BEY-T1-E3. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 15:25.