SI4925BDY

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	1.65€	2.01€
5 - 9	1.57€	1.92€
10 - 24	1.49€	1.82€
25 - 49	1.41€	1.72€
50 - 99	1.37€	1.67€
100 - 249	1.34€	1.63€
250 - 2256	1.27€	1.55€

Qnéuantità	U.P
1 - 4	1.65€	2.01€
5 - 9	1.57€	1.92€
10 - 24	1.49€	1.82€
25 - 49	1.41€	1.72€
50 - 99	1.37€	1.67€
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SI4925BDY. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 60 ns. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (massimo): 7.1A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 2. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 15:25.

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