SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4532CDY-T1-E3. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 305/340pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.14W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 15:25.