Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SPP11N60S5

SPP11N60S5
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SPP11N60S5. C(in): 1460pF. Costo): 610pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 650ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: 11N60S5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 130 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.

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C(in): 1630pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 612 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P11NM80. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: MDmesh MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS
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C(in): 1630pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 612 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P11NM80. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: MDmesh MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS
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