Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -100V, -4A, 1, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9510PBF

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -100V, -4A, 1, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9510PBF
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1 - 4 0.87€ 1.06€
5 - 9 0.83€ 1.01€
10 - 24 0.80€ 0.98€
25 - 49 0.78€ 0.95€
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100 - 249 1.03€ 1.26€
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Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -100V, -4A, 1, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9510PBF. Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -100V, -4A, 1, TO-220, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Custodia (standard JEDEC): 1. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9510PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 43W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore Vishay. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.

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IRF9520N

IRF9520N

Transistor a canale P, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 250u...
IRF9520N
Transistor a canale P, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 350pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF9520N
Transistor a canale P, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 350pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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IRF9520

IRF9520

Transistor a canale P, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 500u...
IRF9520
Transistor a canale P, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 390pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 98 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.8A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF9520
Transistor a canale P, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 390pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 98 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.8A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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IRF5305
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FJP13009H2
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MOF1145JAFSR130
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MOF1145JAFSR130
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(1.01€ Iva esclusa)
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NE555P

NE555P

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NE555P
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