IRF9520N

IRF9520N. C(in): 350pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.