STP80PF55

STP80PF55. C(in): 5500pF. Costo): 1130pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 80A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 165 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: STripFETTM II Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.