SPU04N60C3
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.25€ | 5.19€ |
| 5 - 9 | 4.04€ | 4.93€ |
| 10 - 24 | 3.83€ | 4.67€ |
| 25 - 49 | 3.61€ | 4.40€ |
| 50 - 99 | 3.53€ | 4.31€ |
| 100+ | 3.32€ | 4.05€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.25€ | 5.19€ |
| 5 - 9 | 4.04€ | 4.93€ |
| 10 - 24 | 3.83€ | 4.67€ |
| 25 - 49 | 3.61€ | 4.40€ |
| 50 - 99 | 3.53€ | 4.31€ |
| 100+ | 3.32€ | 4.05€ |
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SPU04N60C3. C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 05:25.
Prodotti equivalenti :
SPP04N60C3
C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET...
C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 85m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Eccezionale capacità dv/dt. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 85m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Eccezionale capacità dv/dt. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
SPA04N60C3
C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min...
C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Spec info: Eccezionale capacità dv/dt. Protezione GS: NINCS
C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Spec info: Eccezionale capacità dv/dt. Protezione GS: NINCS
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