STP100N8F6

STP100N8F6. C(in): 5955pF. Costo): 244pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 38 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: 100N8F6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 176W. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 103 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: STripFET™ F6 technology. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 80V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.