Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.46€ | 4.22€ |
5 - 9 | 3.29€ | 4.01€ |
10 - 24 | 3.12€ | 3.81€ |
25 - 49 | 2.94€ | 3.59€ |
50 - 69 | 2.88€ | 3.51€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.46€ | 4.22€ |
5 - 9 | 3.29€ | 4.01€ |
10 - 24 | 3.12€ | 3.81€ |
25 - 49 | 2.94€ | 3.59€ |
50 - 69 | 2.88€ | 3.51€ |
Transistor a canale N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF18NM60N. Transistor a canale N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1000pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 18NM60. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 20:25.
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