Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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STF18NM60N

STF18NM60N
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STF18NM60N. C(in): 1000pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 18NM60. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

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