IRFB4019

IRFB4019. C(in): 800pF. Costo): 74pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 64 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Parametri chiave ottimizzati per l audio di classe D. Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Rds sulla resistenza attiva: 80m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4.9V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.