STH8NA60FI

STH8NA60FI. C(in): 1350pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: transistor MOSFET di potenza veloce. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: H8NA60FI. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Modalità di miglioramento . Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.75V. Vgs(esimo) min.: 2.25V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Viso 4000V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.