STD5N52K3

STD5N52K3. C(in): 545pF. Costo): 45pF. Tipo di canale: N. Numero di canali: 1. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: 5N52K3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-3. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 525V. Voltaggio gate/source Vgs: 30V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Funzione: Applicazioni di commutazione, carica gate ridotta al minimo, IDSS basso. Spec info: Enhancement type. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.