STN851

STN851. Costo): 215pF. Condizionamento: rotolo. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Transistor di potenza NPN a commutazione rapida a bassa tensione. Guadagno hFE massimo: 350. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.32V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 1000. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.