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STP55NE06

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STP55NE06. C(in): 3050pF. Costo): 380pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P55NE06. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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STP55NF06

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C(in): 1300pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 75 ns. Tipo di transistor: MOSFET...
STP55NF06
C(in): 1300pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 75 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P55NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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