STP5NK80Z

STP5NK80Z. C(in): 910pF. Costo): 98pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 17.2A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P5NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.