STP30NF10

STP30NF10. C(in): 1180pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 110us. Tensione di soglia del diodo: 1.3V. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Rds sulla resistenza attiva: 0.038 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.