Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
0
Categorie di Prodotto :
Audio
>
306
Automazione
>
19
Cavi
>
1768
Componenti passivi
>
14444
Computer
>
56
Connettori
>
5629
Contenitori per elettronica
>
1201
Elettronica per il tempo libero
>
540
Energia
>
1333
Interruttori
>
929
Optoelettronica
>
1956
Parti meccaniche
>
439
Protezione elettrica
>
1127
Raffreddamento
>
751
Relè
>
850
Riparazione
>
956
Semiconduttori
>
14457
Trasformatori
>
554
Utensili
>
1371
Semiconduttori Transistor

STP3NB80

STP3NB80
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 2.05€ 2.50€
5 - 9 1.95€ 2.38€
10 - 12 1.84€ 2.24€
Qnéuantità U.P
1 - 4 2.05€ 2.50€
5 - 9 1.95€ 2.38€
10 - 12 1.84€ 2.24€
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
Quantità in magazzino : 12
Set da 1

STP3NB80. C(in): 440pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 650 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 10.4A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Rds sulla resistenza attiva: 4.6 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

Prodotti equivalenti :

Quantità in magazzino : 82
STP3NK80Z

STP3NK80Z

C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. T...
STP3NK80Z
C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: rapporto dv/dt molto elevato, per applicazioni di commutazione. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
STP3NK80Z
C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: rapporto dv/dt molto elevato, per applicazioni di commutazione. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
Set da 1
1.18€ IVA incl.
(0.97€ Iva esclusa)
1.18€

Informazioni e aiuto tecnico

Per telefono :
Via e-mail
Condizioni di vendita

Pagamento e consegna

Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!

Iscriviti alla newsletter

Accetto di ricevere e-mail e capisco che potrò annullare l'iscrizione in qualsiasi momento dopo l'iscrizione.

Tutti i diritti riservati, RPtronics, 2024.