Transistor

C(in): 1110pF. Costo): 135pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 480 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

C(in): 94pF. Costo): 17.6pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 135 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 1NK60ZR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Rds sulla resistenza attiva: 13 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 5.5 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammopak. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Protezione Zener, funzionalità ESD migliorata. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Funzione: STripFET™ Power MOSFET. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 30V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2

Tipo di canale: N. Funzione: 2xN-CH 60V. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2

Funzione: STripFET™ II Power MOSFET. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 20V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2

Tipo di canale: N-P. Funzione: N&P PowerTrench MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 11W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor a effetto di campo con modalità di potenziamento doppia. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4. Nota: Transistor a effetto di campo con modalità di potenziamento doppia

Tipo di canale: N-P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 11W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4

C(in): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W10NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

C(in): 2180pF. Costo): 205pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 645 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W10NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W10NK80Z. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 65 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2180pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 3500pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 560 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: capacità dv/dt estremamente elevata, applicazioni di commutazione. Id(imp): 33.2A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W11NK100Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 98 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 1000V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W11NK100Z. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 27 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 98 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 230W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 3000pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 584 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W11NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.82 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 76 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: SuperMesh PpwerMOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protezione GS: sì

C(in): 2620pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 635 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: capacità ESD migliorata. Id(imp): 42A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W12NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza SuperMESH™ protetto da diodo zener. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 3500pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 964ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: capacità ESD migliorata. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W12NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 88 ns. Td(acceso): 31 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza SuperMESH™ protetto da diodo zener. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Tipo di canale: N. Alloggiamento: TO-247. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 50mA. ID (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: W13NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 13A. Potenza: 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Numero di terminali: 3. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Tensione drain-source (Vds): 600V. Protezione GS: sì

C(in): 2000pF. Costo): 238pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 470 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 50mA. ID (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: W14NK50Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Protezione GS: sì

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 15A. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Potenza: 350W. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source (Vds): 900V

C(in): 1630pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 100nA. ID (min): 10nA. Marcatura sulla cassa: 18NM80. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W20NK50Z. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 30

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W20NM50FD. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1380pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 214W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 1450pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 510 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W20NM60. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1800pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 26NM60N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.135 Ohms. RoHS: sì. Peso: 4.51g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 85 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1440pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 28N65M2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 59 ns. Td(acceso): 13.4 ns. Tecnologia: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì