STW18NM80

STW18NM80. C(in): 1630pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 100nA. ID (min): 10nA. Marcatura sulla cassa: 18NM80. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.