STW12NK80Z

STW12NK80Z. C(in): 2620pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 635 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: capacità ESD migliorata. Id(imp): 42A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W12NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza SuperMESH™ protetto da diodo zener. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.