Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.94€ | 4.81€ |
5 - 9 | 3.75€ | 4.58€ |
10 - 24 | 3.63€ | 4.43€ |
25 - 49 | 3.63€ | 4.43€ |
50 - 99 | 3.61€ | 4.40€ |
100 - 133 | 3.46€ | 4.22€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.94€ | 4.81€ |
5 - 9 | 3.75€ | 4.58€ |
10 - 24 | 3.63€ | 4.43€ |
25 - 49 | 3.63€ | 4.43€ |
50 - 99 | 3.61€ | 4.40€ |
100 - 133 | 3.46€ | 4.22€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 30, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V - STW20NK50Z. Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 30, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): 30. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 500V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W20NK50Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 05:25.
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