STQ1NK60ZR-AP

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	0.85€	1.04€
5 - 9	0.80€	0.98€
10 - 24	0.76€	0.93€
25 - 49	0.72€	0.88€
50 - 99	0.70€	0.85€
100 - 249	0.69€	0.84€
250 - 1934	0.59€	0.72€

Qnéuantità	U.P
1 - 4	0.85€	1.04€
5 - 9	0.80€	0.98€
10 - 24	0.76€	0.93€
25 - 49	0.72€	0.88€
50 - 99	0.70€	0.85€
100 - 249	0.69€	0.84€
250 - 1934	0.59€	0.72€

Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!

Quantità in magazzino : 1934

Set da 1

STQ1NK60ZR-AP. C(in): 94pF. Costo): 17.6pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 135 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 1NK60ZR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Rds sulla resistenza attiva: 13 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 5.5 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammopak. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Protezione Zener, funzionalità ESD migliorata. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

Documentazione tecnica