STW10NK60Z

STW10NK60Z. C(in): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W10NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.