STW28N65M2

STW28N65M2. C(in): 1440pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 28N65M2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 59 ns. Td(acceso): 13.4 ns. Tecnologia: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.