STP6NK90Z

STP6NK90Z. C(in): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 840 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.