STP9NK50Z

STP9NK50Z. C(in): 910pF. Costo): 125pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 238 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK50Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.