STP9NK60Z

STP9NK60Z. C(in): 1110pF. Costo): 135pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 480 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1us. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.