STP7NK80Z

STP7NK80Z. C(in): 1138pF. Costo): 122pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 530 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20.8A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P7NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Zener-Protected. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.