STW5NK100Z

STW5NK100Z. C(in): 1154pF. Costo): 106pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 605 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W5NK100Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 2.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 51.5 ns. Td(acceso): 22.5 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 1000V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.