TIP102G

TIP102G. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Resistenza BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Funzione: commutazione, amplificatore audio. Spec info: transistor complementare (coppia) Diodo TIP107. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.