Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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TK8A65D-STA4-Q-M

TK8A65D-STA4-Q-M
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TK8A65D-STA4-Q-M. C(in): 1350pF. Costo): 135pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 30Ap. Idss (massimo): 10uA. Marcatura sulla cassa: K8A65D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVII). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10U1B. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.

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C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 6A. Marcatura sulla cassa: K3562. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 6A. Marcatura sulla cassa: K3562. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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