Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK3562

2SK3562
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2SK3562. C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 6A. Marcatura sulla cassa: K3562. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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C(in): 800pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 12...
TK6A60D
C(in): 800pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 10uA. Marcatura sulla cassa: K6A60D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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C(in): 800pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 10uA. Marcatura sulla cassa: K6A60D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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STP6NK60ZFP

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C(in): 905pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 445 ns. Tipo di transistor: MOSFET...
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