Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - TK7P60W

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10 - 24 2.75€ 3.36€
25 - 49 2.60€ 3.17€
50 - 99 2.54€ 3.10€
100 - 249 2.48€ 3.03€
250 - 1884 2.39€ 2.92€
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Transistor a canale N, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - TK7P60W. Transistor a canale N, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 470pF. Costo): 13pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 230 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: per regolatori di tensione in modalità switching. Id(imp): 28A. Marcatura sulla cassa: TK7P60W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: MOSFET (DTMOSIV). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.7V. Vgs(esimo) min.: 2.7V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 21:25.

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Transistor a canale N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.53 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 540pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 315 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Id(imp): 32A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 10NM60N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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