VNB49N04

VNB49N04. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNB49N04. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 600 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.