VNS3NV04DPTR-E

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	3.45€	4.21€
5 - 9	3.27€	3.99€
10 - 24	3.10€	3.78€
25 - 49	2.93€	3.57€
50 - 90	2.86€	3.49€

Qnéuantità	U.P
1 - 4	3.45€	4.21€
5 - 9	3.27€	3.99€
10 - 24	3.10€	3.78€
25 - 49	2.93€	3.57€
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VNS3NV04DPTR-E. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 107ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 75uA. ID (min): 30uA. Nota: serigrafia/codice SMD S3NV04DP. Marcatura sulla cassa: S3NV04DP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 450 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 45V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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