VNB35N07E

VNB35N07E. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNB35N07-E. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 200 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 800 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.