VNP35N07

VNP35N07. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): MOSFET. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNP35N07. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 200 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 1000 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 100 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Utilizzato per: Ilim= 35A IR= -50A. Voltaggio Vds(max): 70V. Tensione in ingresso Vin (max): 18V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.