ZTX450

Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.8A. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-25. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC640-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC639. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC640

Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 0.8A. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-25. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX551. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS