MJE15035G

MJE15035G. Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 8A. Nota: transistor complementare (coppia) MJE15034G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 14:25.